Обзорные доклады
- Ивченко Евгений Львович, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
- Никитов Сергей Аполлонович, ИРЭ имени В.А. Котельникова РАН, Москва
- Салихов Кев Минуллинович, Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского, Казань
- Багрянская Елена Григорьевна, НИОХ СО РАН, Новосибирск
Приглашенные доклады
- Геревенков Петр Игоревич, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
- Головатенко Александр Анатольевич, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
- Демишев Сергей Васильевич, Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии
наук, Москва - Ежевский Александр Александрович, Университет Лобачевского, Нижний Новгород,
- Зиновьева Айгуль Фанизовна, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
- Кавокин Кирилл Витальевич, СПбГУ, Санкт-Петербург
- Коренев Владимир Львович, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
- Сафин Ансар Ризаевич, ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН, Москва
- Смирнов Дмитрий Сергеевич, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург
- Стрельцов Сергей Владимирович, Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург
- Федин Матвей Владимирович, Международный томографический центр, СО РАН, Новосибирск
- Шамирзаев Тимур Сезгирович, Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова, Новосибирск
- Яковлев Дмитрий Робертович, Технический университет, Дортмунд, ФТИ им А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург